2014年5月苹果收购了创业公司Lux Vue Technology，该公司的Micro LED显示技术未来有望应用于iWatch、Google Glass、微投影仪等微显示器件领域。
Micro LED技术是指在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED显示屏，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级，相比于现有的微显示技术如DLP、LCoS、微机电系统扫描等，由于MicroLED自发光，光学系统简单，可以减少整体系统的体积、重量、成本，同时兼顾低功耗、快速反应等特性，2013年台湾工研院基于主动式LED微晶粒晶片技术，开发出单色微显示及微投影模组，主力应用瞄准如GoogleGlass等头戴式显示器。
单色Micro LED阵列已经实现极高的DPI，2011年德州科技大学的团队发布了9.6mm×7.2mm面积的绿光主动定址Micro LED阵列，像素间距15微米，实现了VGA解析度，远高于目前的手机显示屏。
全彩化、良率、发光波长一致性是目前主要的问题：单色Micro LED阵列通过倒装结构封装和驱动IC贴合就能够实现，而RGB阵列需要分次转贴红、蓝、绿三色的晶粒，需要嵌入几十万颗LED晶粒，对于LED晶粒光效、波长的一致性、良率要求更高，同时分bin的成本支出也是阻碍量产的技术瓶颈。
MicroLED技术是指在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED显示屏，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。
1998年德国亚琛工业大学研究团队采用湿法腐蚀方法在AlGaInP LED外延片上成功制作多个LED之后，开启了国际上对Micro LED阵列的研究，Micro LED作为主动发光器件，突出的优点在于分辨潜力大、高亮度对比、低成本，利用半导体加工技术，可以将MicroLED阵列像素尺寸控制在微米量级，可以应用于微显示器件和数据传输通信光源。
2009年香港大学研究小组制作了一种集成光纤的微型LED阵列，在GaN LED外延片上设计了像素点直径20微米，像素间距120微米的阵列。
2010年英国帝国大学研究小组将LED阵列应用于神经网络模拟刺激试验，利用GaN LED外延制作了像素直径20微米，像素间距50微米的64×64LED阵列。
TexasTechUniversity的江教授团队在2011年发表了至今最高密度主动定址的MicroLED阵列芯片，外延生长绿光LED后通过刻蚀形成微阵列，然后通过倒装封装与驱动IC贴合，像素间距15微米，在9.6mm*7.2mm面积上实现了VGA解析度。
2012年索尼曾在CES上展示了55寸Crystal LED Display电视，厚度仅0.63mm，由600万颗微小LED组成，通过将晶圆上的LED微晶粒封装成150um的像素单体，利用真空吸嘴将单体转移至TFT驱动基板上。
2013年台湾工研院推出了主动式LED微晶粒晶片技术，在0.37寸的晶片上实现了427×240的解析度，现阶段工研院电光所的微LED阵列投影模组光效可以达到40lm/W。
未来MicroLED的潜在应用领域主要为微显示器件领域，如微投影仪、头戴式显示器、抬头显示器、可穿戴设备、Google Glass等，相比于现有的技术如DLP、LCoS、微机电系统扫描等，由于Micro LED自发光，光学系统简单，可以减少整体系统的体积、重量、成本，同时兼顾低功耗、快速反应等特性。
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